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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDV305N
주문 코드1471059
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id900mA
Drain Source On State Resistance0.22ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation350mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The FDV305N is a N-channel MOSFET uses high voltage PowerTrench® process. It has been optimized for load switch and battery protection applications.
- Low gate charge
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
900mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
350mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.22ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000363