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FJB102TM
Darlington Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, TO-263AB, 3 Pins
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩3,043 |
| 10+ | ₩1,913 |
| 50+ | ₩1,603 |
| 100+ | ₩1,293 |
| 250+ | ₩1,268 |
가격기준Each (Supplied on Cut Tape)
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FJB102TM
주문 코드2453344
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Power Dissipation Pd80W
DC Collector Current8A
RF Transistor CaseTO-263AB
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE200hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
제품 개요
The FJB102TM is a NPN high voltage power Darlington Transistor offers low collector-emitter saturation voltage.
- High DC current gain (1000 hFE @ 4V VCE, 3A minimum IC)
애플리케이션
Power Management, Industrial
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Power Dissipation Pd
80W
RF Transistor Case
TO-263AB
DC Current Gain hFE
200hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
DC Collector Current
8A
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.001312