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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FJB102TM
주문 코드2453344RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Collector Emitter Voltage Max100V
Power Dissipation Pd80W
Continuous Collector Current8A
DC Collector Current8A
Power Dissipation80W
Transistor Case StyleTO-263AB
RF Transistor CaseTO-263AB
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE200hFE
Transition Frequency-
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min200hFE
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
제품 개요
The FJB102TM is a NPN high voltage power Darlington Transistor offers low collector-emitter saturation voltage.
- High DC current gain (1000 hFE @ 4V VCE, 3A minimum IC)
애플리케이션
Power Management, Industrial
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
100V
Continuous Collector Current
8A
Power Dissipation
80W
RF Transistor Case
TO-263AB
DC Current Gain hFE
200hFE
Transistor Mounting
Surface Mount
DC Current Gain hFE Min
200hFE
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
Power Dissipation Pd
80W
DC Collector Current
8A
Transistor Case Style
TO-263AB
No. of Pins
3Pins
Transition Frequency
-
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001312