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FQP47P06
MOSFET, P-CHANNEL, -60V, -47A, TO-220-3
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FQP47P06
주문 코드2575367
Product RangeQFET
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id47A
Drain Source On State Resistance0.026ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation160W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeQFET
Qualification-
MSL-
SVHCLead (25-Jun-2025)
제품 개요
The FQP47P06 is a -60V P-channel QFET® MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control and variable switching power applications.
- Low gate charge (typical 84nC)
- Low Crss (typical 320pF)
- 100% avalanche tested
- ±25V gate to source voltage
- 62.5°C/W thermal resistance, junction to ambient
- 0.94°C/W thermal resistance, junction to case
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
47A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
160W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.026ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
QFET
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.002041