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FQP55N10
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-220, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩4,643 |
| 10+ | ₩3,013 |
| 100+ | ₩2,215 |
| 500+ | ₩1,861 |
| 1000+ | ₩1,615 |
| 5000+ | ₩1,583 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FQP55N10
주문 코드3368820
Product RangeQFET
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id55A
Drain Source On State Resistance0.026ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation155W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeQFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
FQP55N10의 대체 제품
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제품 개요
경고
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기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
55A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
155W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.026ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
QFET
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.002