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FQP8N80C
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 8 A, 1.29 ohm, TO-220AB, Through Hole
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FQP8N80C
주문 코드2453446
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance1.29ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation178W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
제품 개요
The FQP8N80C is a N-channel QFET® enhancement-mode power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
- Low gate charge (35nC)
- Low Crss (13pF)
- 100% avalanche tested
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
178W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
1.29ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.0018