페이지 인쇄
MC1413BDR2G
TRANSISTOR ARRAY, NPN, 1.1V, SOIC
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MC1413BDR2G
주문 코드2845423
기술 데이터 시트
Supply Voltage Min-
Supply Voltage Max3V
No. of Outputs7Outputs
Output Voltage50V
Output Current500mA
Driver Case StyleSOIC
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The MC1413BDR2G is a NPN high current Darlington Bipolar Transistor Array suitable for driving lamps, relays or printer hammers in a variety of industrial and consumer applications. It has high breakdown voltage and internal suppression diodes insure freedom from problems associated with inductive loads. Peak inrush currents to 500mA permit them to drive incandescent lamps. The device with a 2.7kΩ series input resistor is well suited for systems utilizing a 5V TTL or CMOS logic.
- High voltage
- -40 to 85°C Operating ambient temperature range
애플리케이션
Lighting, Power Management, Consumer Electronics, Industrial
기술 사양
Supply Voltage Min
-
No. of Outputs
7Outputs
Output Current
500mA
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Supply Voltage Max
3V
Output Voltage
50V
Driver Case Style
SOIC
MSL
MSL 1 - Unlimited
MC1413BDR2G의 대체 제품
3개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000324