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MJ11032G
Darlington Transistor, Darlington, NPN, 120 V, 300 W, 50 A, TO-204, 2 Pins
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩18,841 |
| 5+ | ₩16,190 |
| 10+ | ₩13,539 |
| 50+ | ₩13,213 |
| 100+ | ₩13,128 |
| 250+ | ₩13,042 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MJ11032G
주문 코드1611191
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo120V
Power Dissipation Pd300W
DC Collector Current50A
RF Transistor CaseTO-204
No. of Pins2Pins
DC Current Gain hFE400hFE
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
제품 개요
The MJ11032G is a NPN Darlington Power Transistor for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications.
- High DC current gain
- Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor
애플리케이션
Audio
경고
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기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Power Dissipation Pd
300W
RF Transistor Case
TO-204
DC Current Gain hFE
400hFE
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
120V
DC Collector Current
50A
No. of Pins
2Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
기술 문서 (1)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.013835