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MJD112G
Darlington Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pins
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|---|---|
| 1+ | ₩1,599 |
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| 500+ | ₩447 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MJD112G
주문 코드1459084
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Power Dissipation Pd20W
DC Collector Current2A
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
RF Transistor CaseTO-252 (DPAK)
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE200hFE
Transition Frequency25MHz
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (25-Jun-2025)
제품 개요
The MJD112G is a 2A NPN bipolar power Darlington Transistor designed for general purpose power and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers.
- Lead formed for surface-mount applications in plastic sleeves
- Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistors
- Complementary pairs simplifies designs
- Surface-mount replacements for TIP110 to TIP117 series
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
애플리케이션
Industrial, Power Management, Automotive, Signal Processing
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Power Dissipation Pd
20W
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
No. of Pins
3Pins
Transition Frequency
25MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
DC Collector Current
2A
RF Transistor Case
TO-252 (DPAK)
DC Current Gain hFE
200hFE
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Vietnam
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Vietnam
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.002722