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MJD122G
Darlington Transistor, NPN, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pins
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩1,971 |
| 10+ | ₩831 |
| 100+ | ₩756 |
| 500+ | ₩696 |
| 1000+ | ₩604 |
| 5000+ | ₩590 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MJD122G
주문 코드9557075
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Power Dissipation Pd1.75W
DC Collector Current8A
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
RF Transistor CaseTO-252 (DPAK)
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE12hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
제품 개요
The MJD122G is a 100V Silicon NPN Bipolar Complementary Darlington Power Transistor designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. Thins transistor is surface mount replacements for 2N6040-2N6045 series, TIP120-TIP122 series and TIP125-TIP127 series as well has monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor.
- Lead formed for surface mount applications in plastic sleeves
- High DC current gain
- Epoxy meets UL 94V-0 rating
- AEC-Q101 qualified
애플리케이션
Industrial, Automotive
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Power Dissipation Pd
1.75W
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
DC Collector Current
8A
RF Transistor Case
TO-252 (DPAK)
DC Current Gain hFE
12hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Vietnam
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Vietnam
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0004