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MJD41CT4G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 100 V, 6 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK)
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩1,152 |
| 50+ | ₩958 |
| 100+ | ₩764 |
| 500+ | ₩594 |
| 1000+ | ₩539 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MJD41CT4G
주문 코드2464113
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max100V
Continuous Collector Current6A
Power Dissipation1.75W
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins4Pins
Transition Frequency3MHz
DC Current Gain hFE Min15hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
6A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
No. of Pins
4Pins
DC Current Gain hFE Min
15hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
100V
Power Dissipation
1.75W
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
3MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.002041