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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MJD42CT4G
주문 코드2101378
기술 데이터 시트
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max100V
Continuous Collector Current6A
Power Dissipation20W
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency3MHz
DC Current Gain hFE Min30hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
제품 개요
The MJD42CT4G is a 6A PNP bipolar Power Transistor designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.
- Complementary device
- Electrically similar to popular TIP41 and TIP42 series
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
애플리케이션
Industrial, Power Management, Automotive
기술 사양
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
6A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
30hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
100V
Power Dissipation
20W
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
3MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0003