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MJE15035G
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220, Through Hole
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MJE15035G
주문 코드2535628
기술 데이터 시트
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max350V
Continuous Collector Current4A
Power Dissipation50W
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency30MHz
DC Current Gain hFE Min10hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSL-
SVHCLead (25-Jun-2025)
기술 사양
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
4A
Transistor Case Style
TO-220
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
10hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
350V
Power Dissipation
50W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
30MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.002742