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MJE5852G
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220AB, Through Hole
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MJE5852G
주문 코드9555889
Product RangeMJxxxx
기술 데이터 시트
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max400V
Continuous Collector Current8A
Power Dissipation80W
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency-
DC Current Gain hFE Min15hFE
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMJxxxx
Qualification-
MSL-
SVHCLead (25-Jun-2025)
제품 개요
The MJE5852G is a -400V PNP silicon Bipolar Power Transistor designed for high voltage, high speed and power switching in inductive circuits where fall time is critical. This switch-mode series transistor is particularly suited for line operated switch-mode applications.
- Fast turn-off times
- Complementary to the MJE13007 series
- 6V Emitter to base voltage (VEBO)
- 16ADC Peak collector current
- 4ADC Base current (IB)
- 1.25°C/W Thermal resistance, junction to case
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
8A
Transistor Case Style
TO-220AB
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
15hFE
Product Range
MJxxxx
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
400V
Power Dissipation
80W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.001814