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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MMBFU310LT1G
주문 코드1431342
기술 데이터 시트
Gate Source Breakdown Voltage Max25V
Zero Gate Voltage Drain Current Max60mA
Gate Source Cutoff Voltage Max6V
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The MMBFU310LT1G is a N-channel JFET designed for high frequency amplifiers and oscillators. The low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life. The device is encapsulated in a surface-mount package which saves board space.
- 25V Drain-source voltage
- 25V Gate-source voltage
- 10mA Gate current
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Gate Source Breakdown Voltage Max
25V
Gate Source Cutoff Voltage Max
6V
No. of Pins
3 Pin
Channel Type
N Channel
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Zero Gate Voltage Drain Current Max
60mA
Transistor Case Style
SOT-23
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000008