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MMBT3904WT1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, Surface Mount
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MMBT3904WT1G
주문 코드1459102RL
Product RangeMMBTxxxx
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max40V
Continuous Collector Current200mA
Power Dissipation150mW
Transistor Case StyleSOT-323
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency300MHz
DC Current Gain hFE Min300hFE
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMMBTxxxx
QualificationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The MMBT3904WT1G is a NPN Bipolar Transistor designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the package which is designed for low power surface-mount applications.
- Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
애플리케이션
Industrial, Power Management, Automotive
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
200mA
Transistor Case Style
SOT-323
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
300hFE
Product Range
MMBTxxxx
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
40V
Power Dissipation
150mW
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
300MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000005