페이지 인쇄
MMBT3906WT1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MMBT3906WT1G
주문 코드1459104
Product RangeMMBTxxxx
기술 데이터 시트
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max40V
Continuous Collector Current200mA
Power Dissipation150mW
Transistor Case StyleSOT-323
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency250MHz
DC Current Gain hFE Min250hFE
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMMBTxxxx
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The MMBT3906WT1G is a PNP Bipolar Transistor designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the package which is designed for low power surface-mount applications.
- Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
- Saves board space
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
애플리케이션
Industrial, Power Management, Automotive
기술 사양
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
200mA
Transistor Case Style
SOT-323
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
250hFE
Product Range
MMBTxxxx
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
40V
Power Dissipation
150mW
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
250MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
MMBT3906WT1G의 대체 제품
6개 제품을 찾았습니다.
관련 제품
2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.08