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MMBTA13LT1G
Darlington Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 225 mW, 300 mA, SOT-23, 3 Pins
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MMBTA13LT1G
주문 코드2464055
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo30V
Power Dissipation Pd225mW
DC Collector Current300mA
RF Transistor CaseSOT-23
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE10000hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The MMBTA13LT1G is a NPN bipolar Darlington Transistor designed for use in switching applications such as print hammer, relay, solenoid and lamp drivers. The device is housed in the package which is designed for lower power surface-mount applications.
- Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
- Saves board space
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
애플리케이션
Industrial, Power Management, Automotive
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Power Dissipation Pd
225mW
RF Transistor Case
SOT-23
DC Current Gain hFE
10000hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
30V
DC Collector Current
300mA
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
MMBTA13LT1G의 대체 제품
3개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001