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MMBTA64LT1G
Darlington Transistor, PNP, 30 V, 225 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pins
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MMBTA64LT1G
주문 코드2464053RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo30V
Collector Emitter Voltage Max30V
Power Dissipation Pd225mW
Continuous Collector Current500mA
DC Collector Current500mA
Power Dissipation225mW
Transistor Case StyleSOT-23
RF Transistor CaseSOT-23
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE20000hFE
Transition Frequency125MHz
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min10000hFE
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage Max
30V
Continuous Collector Current
500mA
Power Dissipation
225mW
RF Transistor Case
SOT-23
DC Current Gain hFE
20000hFE
Transistor Mounting
Surface Mount
DC Current Gain hFE Min
10000hFE
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
30V
Power Dissipation Pd
225mW
DC Collector Current
500mA
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
Transition Frequency
125MHz
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000033