페이지 인쇄
MMBTH10LT1G
Bipolar - RF Transistor, General Purpose, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MMBTH10LT1G
주문 코드1459112
Product RangeMMBTxxxx
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max25V
Transition Frequency650MHz
Power Dissipation225mW
Continuous Collector Current4mA
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE Min60hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMMBTxxxx
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The MMBTH10LT1G is an NPN Silicon VHF/UHF Transistor designed for requiring unique site and control change requirements. This transistor is PPAP capable and AEC-Q101 qualified.
- Halogen-free
애플리케이션
RF Communications, Industrial
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Transition Frequency
650MHz
Continuous Collector Current
4mA
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
MMBTxxxx
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
25V
Power Dissipation
225mW
Transistor Case Style
SOT-23
DC Current Gain hFE Min
60hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
MMBTH10LT1G의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
관련 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000309