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MMSD301T1G
RF Schottky Diode, Barrier, Single, 30 V, 200 mA, 600 mV, 0.9 pF, SOD-123
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MMSD301T1G
주문 코드2441424
Product RangeMMSD3
기술 데이터 시트
Diode ConfigurationSingle
Reverse Voltage30V
Forward Current200mA
Forward Voltage600mV
Diode Capacitance0.9pF
Diode Case StyleSOD-123
No. of Pins2 Pin
Diode MountingSurface Mount
Operating Temperature Max125°C
Product RangeMMSD3
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The MMSD301T1G is a Schottky Barrier Diode designed for high-efficiency UHF and VHF detector applications. It is readily available to many other fast switching RF and digital applications.
- Extremely low minority carrier lifetime
- Very low capacitance
- Low reverse leakage
- -55 to 125°C Operating junction temperature range
애플리케이션
RF Communications, Sensing & Instrumentation, Industrial
기술 사양
Diode Configuration
Single
Forward Current
200mA
Diode Capacitance
0.9pF
No. of Pins
2 Pin
Operating Temperature Max
125°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Reverse Voltage
30V
Forward Voltage
600mV
Diode Case Style
SOD-123
Diode Mounting
Surface Mount
Product Range
MMSD3
MMSD301T1G의 대체 제품
2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001