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MUN5211DW1T1G
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, Dual NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
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|---|---|
| 5+ | ₩275 |
| 50+ | ₩225 |
| 100+ | ₩175 |
| 500+ | ₩85 |
| 1500+ | ₩84 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MUN5211DW1T1G
주문 코드2317633
기술 데이터 시트
Transistor PolarityDual NPN
Digital Transistor PolarityDual NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo50V
Collector Emitter Voltage Max NPN50V
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current Ic100mA
Continuous Collector Current100mA
Base Input Resistor R110kohm
Base Emitter Resistor R210kohm
Resistor Ratio, R1 / R21(Ratio)
RF Transistor CaseSOT-363
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6 Pin
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation385mW
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min35hFE
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The MUN5211DW1T1G is a dual NPN Bipolar Digital Transistor designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors, a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device.
- Simplifies circuit design
- Reduces board space
- Reduces component count
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Transistor Polarity
Dual NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
50V
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Continuous Collector Current
100mA
Base Emitter Resistor R2
10kohm
RF Transistor Case
SOT-363
No. of Pins
6 Pin
Power Dissipation
385mW
DC Current Gain hFE Min
35hFE
Qualification
-
MSL
-
Digital Transistor Polarity
Dual NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN
50V
Continuous Collector Current Ic
100mA
Base Input Resistor R1
10kohm
Resistor Ratio, R1 / R2
1(Ratio)
Transistor Case Style
SOT-363
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
MUN5211DW1T1G의 대체 제품
3개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000006