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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NDC7001C
주문 코드9844872
기술 데이터 시트
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel50V
Drain Source Voltage Vds P Channel50V
Continuous Drain Current Id N Channel340mA
Continuous Drain Current Id P Channel340mA
Drain Source On State Resistance N Channel1ohm
Drain Source On State Resistance P Channel1ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel700mW
Power Dissipation P Channel700mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The NDC7001C is a dual N/P-channel enhancement-mode FET produced using high cell density and DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize ON-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching. This device is particularly suited for low voltage, low current, switching and power supply applications.
- High saturation current
- High density cell design for low RDS (ON)
- Design using copper lead-frame for superior thermal and electrical capabilities
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
50V
Continuous Drain Current Id P Channel
340mA
Drain Source On State Resistance P Channel
1ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
700mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
50V
Continuous Drain Current Id N Channel
340mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1ohm
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation N Channel
700mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00004