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NDP6060L
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 48 A, 0.025 ohm, TO-220, Through Hole
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NDP6060L
주문 코드1017726
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id48A
Drain Source On State Resistance0.025ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation100W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
제품 개요
The NDP6060L is a logic level N-channel enhancement-mode power FET produced using high cell density DMOS technology. This very high density process has been especially tailored to minimize ON-state resistance, provide superior switching performance and withstand high energy pulses in the avalanche and commutation modes. It is particularly suited for low voltage applications such as DC-to-DC converters and other battery powered circuits where fast-switching, low in-line power loss and resistance to transients are needed. The rugged internal source-drain diode can eliminate the need for an external Zener diode transient suppressor.
- Low drive requirements allowing operation directly from logic drivers
- Critical DC electrical parameters specified at elevated temperature
- High density cell design for extremely low RDS (ON)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
48A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
100W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.002913