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NDS0610
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 120 mA, 10 ohm, SOT-23, Surface Mount
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포장 옵션
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NDS0610
주문 코드
풀릴2438361
리릴링9846360RL
컷 테이프9846360
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id120mA
Drain Source On State Resistance10ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation300mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The NDS0610 is a P-channel enhancement-mode FET produced using high cell density DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize ON-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching. They can be used, with a minimum of effort, in most applications requiring up to 120mA DC and can deliver current up to 1A. This product is particularly suited to low voltage applications requiring a low current high side switch.
- Voltage controlled p-channel small signal switch
- High density cell design for low RDS (ON)
- High saturation current
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
120mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
10ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000033