페이지 인쇄
NSVF4017SG4T1G
Bipolar - RF Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 100 mA, SC-82FL
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NSVF4017SG4T1G
주문 코드2895761
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max12V
Transition Frequency10GHz
Power Dissipation450mW
Continuous Collector Current100mA
Transistor Case StyleSC-82FL
No. of Pins4Pins
DC Current Gain hFE Min150hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
NSVF4017SG4T1G의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Transition Frequency
10GHz
Continuous Collector Current
100mA
No. of Pins
4Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
12V
Power Dissipation
450mW
Transistor Case Style
SC-82FL
DC Current Gain hFE Min
150hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0001