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NTD25P03LT4G
Power MOSFET, Logic Level, P Channel, 30 V, 25 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NTD25P03LT4G
주문 코드2101430
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id25A
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation75W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The NTD25P03LT4G is a -30V P-channel Power MOSFET designed for low voltage, high speed switching applications and to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The source to drain diode recovery time is comparable to a discrete fast recovery diode.
- AEC-Q101 qualified
애플리케이션
Motor Drive & Control, Power Management
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
25A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
5V
Power Dissipation
75W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00046