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NTF2955T1G
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 2.6 A, 0.17 ohm, SOT-223, Surface Mount
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NTF2955T1G
주문 코드1453649
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id2.6A
Drain Source On State Resistance0.17ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation1W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
제품 개요
NTF2955T1G is a single, P-channel power MOSFET. The applications include power supplies, PWM motor control, converters, and power management.
- Drain-to-source on resistance is 145mohm typ (VGS = -10V, ID = -0.75A)
- Gate-to-source voltage is ±20V (TJ = 25°C)
- Continuous drain current is -2.6A (TJ = 25°C, steady state)
- Power dissipation is 2.3W (TJ = 25°C, steady state)
- Pulsed drain current is -17A (tp = 10µs, TJ = 25°C)
- Drain-to-source breakdown voltage is -60V min (VGS = 0V, ID = -250µA, TJ=25°C)
- Gate threshold voltage range from -2.0 to -4.0V (VGS = VDS, ID = -1.0mA, TJ=25°C)
- Forward transconductance is 1.77S typ (VGS = -15V, ID = -0.75A, TJ=25°C)
- Turn-on delay time is 11ns rtp (VGS = 10V, VDD = 25V, ID = 1.5A, RG = 9.1ohm, RL = 25ohm)
- SOT-223 package, operating junction range from -55 to 175°C
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.6A
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
1W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.17ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000124