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NTGS3443T1G
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 3.1 A, 0.065 ohm, TSOP, Surface Mount
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|---|---|
| 5+ | ₩746 |
| 50+ | ₩618 |
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| 500+ | ₩334 |
| 1500+ | ₩328 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NTGS3443T1G
주문 코드1611251
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3.1A
Drain Source On State Resistance0.065ohm
Transistor Case StyleTSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max950mV
Power Dissipation2W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The NTGS3443T1G is a P-channel Power MOSFET offers -20V drain source voltage and -2.2A continuous drain current. It is suitable for power management in portable and battery-powered products, cellular and cordless telephones and PCMCIA cards.
- Ultra-low RDS (ON)
- Higher efficiency extending battery life
- Miniature surface-mount package
- -55 to 150°C Operating temperature range
애플리케이션
Portable Devices, Consumer Electronics, Power Management, Industrial
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.1A
Transistor Case Style
TSOP
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.065ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
950mV
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
NTGS3443T1G의 대체 제품
2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000058