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NTHL060N090SC1
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 46 A, 900 V, 0.06 ohm, TO-247
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NTHL060N090SC1
주문 코드3367856
Product RangeEliteSiC Series
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id46A
Drain Source Voltage Vds900V
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation221W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead (25-Jun-2025)
제품 개요
NTHL060N090SC1 is an EliteSiC silicon carbide (SiC) MOSFET. Typical applications are UPS, DC to DC converter, and boost inverter.
- 100% UIL tested
- Low effective output capacitance (typ. Coss= 113pF)
- Typical RDS(on)= 60mohm at VGS = 15V
- Ultra low gate charge (typical QG(tot)= 87nC)
- Drain-to-source voltage is 900V at TJ = 25°C
- Gate-to-source voltage is +22/-8V at TJ = 25°C
- Operating junction and storage temperature range from -55 to +175°C
- TO-247-3LD package
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
46A
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
900V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
221W
Product Range
EliteSiC Series
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.009384