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NTJD4001NT1G
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 250 mA, 1 ohm
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
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| 50+ | ₩315 |
| 100+ | ₩251 |
| 500+ | ₩163 |
| 1500+ | ₩160 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NTJD4001NT1G
주문 코드1704019
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel250mA
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel1ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel272mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The NTJD4001NT1G is a dual N-channel small signal MOSFET designed for Li−Ion battery supplied devices like cell phones, PDAs and DSC. It is suitable for low side load switch, buck converters and level shift applications.
- Low gate charge for fast switching
- ESD protected gate
애플리케이션
Industrial, Automotive, Power Management
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
250mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
272mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
NTJD4001NT1G의 대체 제품
2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.004581