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NTR4101PT1G
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 3.2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Surface Mount
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NTR4101PT1G
주문 코드1431303RL
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3.2A
Drain Source On State Resistance0.085ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max720mV
Power Dissipation730mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The NTR4101PT1G is a P-channel Trench Power MOSFET offers -20V drain source voltage and -2.4A continuous drain current. It is suitable for charging circuits and battery protection, load management for portables and computing applications.
- Leading -20V Trench for low RDS (ON)
- -1.8V Rated for low voltage gate drive
- Surface-mount for small footprint
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
애플리케이션
Power Management, Computers & Computer Peripherals, Portable Devices, Industrial
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.2A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
730mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.085ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
720mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000008