페이지 인쇄
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NTR4171PT1G
주문 코드2464120
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id3.5A
Drain Source On State Resistance0.075ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.15V
Power Dissipation1.25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
제품 개요
The NTR4171PT1G is a P-channel Power MOSFET offers -30V drain source voltage and -2.2A continuous drain current. It is suitable for load switch, optimized for battery and load management applications in portable equipment like cell phones, PDA's and media players.
- Low RDS (ON) at low gate voltage
- Low threshold voltage
- High power and current handling capability
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
애플리케이션
Power Management, Portable Devices, Multimedia, Industrial
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.5A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.075ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.15V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
NTR4171PT1G의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000033