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NTR4503NT1G
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 2.5 A, 0.11 ohm, SOT-23, Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩518 |
| 50+ | ₩432 |
| 100+ | ₩346 |
| 500+ | ₩235 |
| 1500+ | ₩231 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NTR4503NT1G
주문 코드1431309
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id2.5A
Drain Source On State Resistance0.11ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.75V
Power Dissipation730mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The NTR4503NT1G is a N-channel Power MOSFET offers 30V drain source voltage and 2A continuous drain current. It is suitable for DC-to-DC conversion, load/power switch for portables and computing applications.
- Leading planar technology for low gate charge/fast switching
- 4.5V Rated for low voltage gate drive
- Surface-mount for small footprint (3 x 3mm)
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
애플리케이션
Power Management, Portable Devices, Computers & Computer Peripherals, Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.5A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
730mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.11ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000049