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NTS2101PT1G
Power MOSFET, P Channel, 8 V, 1.4 A, 0.1 ohm, SOT-323, Surface Mount
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NTS2101PT1G
주문 코드1453612RL
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds8V
Continuous Drain Current Id1.4A
Drain Source On State Resistance0.1ohm
Transistor Case StyleSOT-323
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max700mV
Power Dissipation290mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The NTS2101PT1G is a P-channel Power MOSFET offers -8V drain source voltage and -1.4A continuous drain current. It is suitable for high side load switch, charging circuit, single cell battery applications such as cell phones, digital cameras and PDAs.
- Leading Trench technology for low RDS (ON) extending battery life
- -1.8V Rated for low voltage gate drive
- Surface-mount for small footprint (2 x 2mm)
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
애플리케이션
Power Management, Portable Devices, Industrial
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.4A
Transistor Case Style
SOT-323
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
290mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
8V
Drain Source On State Resistance
0.1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
700mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000005