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NXH100B120H3Q0PTG
IGBT Module, Dual, 50 A, 1.77 V, 186 W, 150 °C, PIM
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩74,725 |
| 5+ | ₩74,558 |
| 10+ | ₩74,391 |
| 50+ | ₩72,904 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NXH100B120H3Q0PTG
주문 코드3265489
Product RangeNXH100B120H3Q0
기술 데이터 시트
IGBT ConfigurationDual
Continuous Collector Current50A
Collector Emitter Saturation Voltage1.77V
Power Dissipation186W
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StylePIM
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product RangeNXH100B120H3Q0
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
IGBT Configuration
Dual
Collector Emitter Saturation Voltage
1.77V
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Press Fit
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
NXH100B120H3Q0
Continuous Collector Current
50A
Power Dissipation
186W
Transistor Case Style
PIM
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85415000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.0001