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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호RB521S30T1G
주문 코드2317433
Product RangeRB521
기술 데이터 시트
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage30V
Average Forward Current200mA
Forward Voltage Max500mV
Forward Surge Current1A
Operating Temperature Max125°C
Diode Case StyleSOD-523
No. of Pins2Pins
Reverse Recovery Time-
Diode MountingSurface Mount
Product RangeRB521
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The RB521S30T1G is a Schottky Barrier Diode designed for high speed switching applications, circuit protection and voltage clamping. It features extremely low forward voltage reduces conduction loss. This miniature surface mount package is excellent for hand held and portable applications, where space is limited.
- Extremely fast switching speed
- 0.5V at IF = 200mA Extremely low forward voltage (maximum)
- Low reverse current
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- Pb-free, halogen free/BFR free
애플리케이션
Portable Devices
기술 사양
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
200mA
Forward Surge Current
1A
Diode Case Style
SOD-523
Reverse Recovery Time
-
Product Range
RB521
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Repetitive Peak Reverse Voltage
30V
Forward Voltage Max
500mV
Operating Temperature Max
125°C
No. of Pins
2Pins
Diode Mounting
Surface Mount
Qualification
AEC-Q101
RB521S30T1G의 대체 제품
3개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000006