페이지 인쇄
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호RHRG30120
주문 코드9843914
기술 데이터 시트
Repetitive Peak Reverse Voltage1.2kV
Average Forward Current30A
Diode ConfigurationSingle
Forward Voltage Max3.2V
Reverse Recovery Time75ns
Forward Surge Current300A
Operating Temperature Max175°C
Diode Case StyleTO-247
No. of Pins2 Pin
Product Range-
Qualification-
제품 개요
The RHRG30120 is a Hyperfast Diode with soft recovery characteristics. It has the half recovery time of ultrafast diodes and is silicon nitride passivated ion-implanted epitaxial planar construction. This device is intended to be used as freewheeling/clamping diodes and diodes in a variety of switching power supplies and other power switching applications. Their low stored charge and hyperfast soft recovery minimize ringing and electrical noise in many power switching circuits reducing power loss in the switching transistors.
- High reliability
- Avalanche energy rated
- 1200VDC Blocking voltage
- 125W Maximum power dissipation
- 1.2°C/W Junction to case thermal resistance
애플리케이션
Power Management
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Repetitive Peak Reverse Voltage
1.2kV
Diode Configuration
Single
Reverse Recovery Time
75ns
Operating Temperature Max
175°C
No. of Pins
2 Pin
Qualification
-
Average Forward Current
30A
Forward Voltage Max
3.2V
Forward Surge Current
300A
Diode Case Style
TO-247
Product Range
-
관련 제품
4개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.005443