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2N7002
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 115 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Surface Mount
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호2N7002
주문 코드9845313
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id115mA
Drain Source On State Resistance1.2ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.1V
Power Dissipation200mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The 2N7002 is a N-channel enhancement mode Field Effect Transistor produced using high cell density and DMOS technology. It minimizes on-state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance. It can be used in most applications requiring up to 400mA DC and can deliver pulsed currents up to 2A. Suitable for low-voltage, low-current applications, such as small servo motor control and power MOSFET gate drivers.
- High density cell design for extremely low RDS (ON)
- High saturation current capability
- Voltage controlled small signal switch
- Rugged and reliable
애플리케이션
Power Management, Motor Drive & Control, Audio
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
115mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
200mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
1.2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000031