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BSS84
Power MOSFET, P Channel, 50 V, 130 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호BSS84
주문 코드2323155
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds50V
Continuous Drain Current Id130mA
Drain Source On State Resistance1.2ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation360mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The BSS84 is a P-channel enhancement-mode FET produced using high cell density DMOS technology. This very high density process minimizes ON-state resistance and to provide rugged and reliable performance and fast switching. It can be used with a minimum of effort, in most applications requiring up to 0.13A DC and can deliver current up to 0.52A. This product is particularly suited to low-voltage applications requiring a low-current high-side switch.
- Voltage-controlled P-channel small-signal switch
- High-density cell design for low RDS (ON)
- High saturation current capability
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
130mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
5V
Power Dissipation
360mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
50V
Drain Source On State Resistance
1.2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000034