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ECH8667-TL-H
Dual MOSFET, P Channel, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A
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|---|---|
| 100+ | ₩854 |
| 500+ | ₩666 |
| 1000+ | ₩622 |
| 5000+ | ₩585 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호ECH8667-TL-H
주문 코드3368882RL
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id5.5A
On Resistance Rds(on)0.03ohm
Continuous Drain Current Id N Channel5.5A
Continuous Drain Current Id P Channel5.5A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel0.039ohm
Transistor Case StyleSOT-28FL
Gate Source Threshold Voltage Max2.6V
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd1.5W
Power Dissipation N Channel1.5W
Power Dissipation P Channel1.5W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCLead (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
On Resistance Rds(on)
0.03ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
5.5A
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOT-28FL
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
5.5A
Continuous Drain Current Id N Channel
5.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
0.039ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
2.6V
Power Dissipation Pd
1.5W
Power Dissipation P Channel
1.5W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.0004