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FDMB2308PZ
Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 20 V, 7 A, 7 A, 0.027 ohm
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDMB2308PZ
주문 코드3368883RL
Product RangePowerTrench Series
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Continuous Drain Current Id7A
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
On Resistance Rds(on)0.027ohm
Continuous Drain Current Id N Channel7A
Continuous Drain Current Id P Channel7A
Drain Source On State Resistance N Channel0.027ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel0.027ohm
Transistor Case StyleMLP
Gate Source Threshold Voltage Max900mV
Power Dissipation Pd2.2W
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel2.2W
Power Dissipation P Channel2.2W
Operating Temperature Max150°C
Product RangePowerTrench Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id
7A
On Resistance Rds(on)
0.027ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
7A
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
MLP
Power Dissipation Pd
2.2W
Power Dissipation N Channel
2.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.027ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.027ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
900mV
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
2.2W
Product Range
PowerTrench Series
Automotive Qualification Standard
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0004