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FDS3992
Dual MOSFET, N Channel, 100 V, 4.5 A, 0.054 ohm
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|---|---|
| 100+ | ₩1,425 |
| 500+ | ₩1,066 |
| 1000+ | ₩1,029 |
| 5000+ | ₩1,009 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDS3992
주문 코드9845216RL
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id4.5A
Drain Source Voltage Vds P Channel-
On Resistance Rds(on)0.054ohm
Continuous Drain Current Id N Channel4.5A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.054ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd2.5W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.5W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The FDS3992 is a dual N-channel PowerTrench® MOSFET designed for applications like DC-to-DC converters and off-line UPS, distributed power architectures and VRMs, primary switch for 24V and 48V systems, high voltage synchronous rectifier, direct injection/diesel injection systems and electronic valve train systems.
- Low miller charge
- Low QRR body diode
- Optimized efficiency at high frequencies
- UIS Capability (single pulse and repetitive pulse)
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id
4.5A
On Resistance Rds(on)
0.054ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
0.054ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
4.5A
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
-
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation Pd
2.5W
Power Dissipation N Channel
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 3 - 168 hours
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00022