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FDS4675
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Surface Mount
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDS4675
주문 코드1471054RL
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id11A
Drain Source On State Resistance0.013ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.4V
Power Dissipation2.4W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The FDS4675 is a P-channel MOSFET produced using rugged gate version of advanced PowerTrench® process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (4.5 to 20V). It is suitable for load switch and battery protection application.
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High current and power handling capability
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
11A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.4W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.013ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000212