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FDS6679
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 13 A, 9000 µohm, SOIC, Surface Mount
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더 이상 제조되지 않음
포장 옵션
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDS6679
주문 코드
리릴링1611455RL
컷 테이프1611455
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id13A
Drain Source On State Resistance9000µohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
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제품 개요
The FDS6679 is a P-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process. It is designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers and battery chargers. It features faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS (ON) specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies) and DC-to-DC power supply designs with higher overall efficiency.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
애플리케이션
Power Management, Industrial
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
13A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
9000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000222