페이지 인쇄
FQD2P40TM
Power MOSFET, P Channel, 400 V, 1.56 A, 6.5 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
457 재고
2,500 지금 제품을 예약하실 수 있습니다
457 3-4 영업일 이내 배송(영국 재고)
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 100+ | ₩968 |
| 500+ | ₩760 |
| 1000+ | ₩594 |
| 5000+ | ₩584 |
가격기준Each (Supplied on Cut Tape)
주문 최소수량: 100
주문 배수수량: 5
₩96,800
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FQD2P40TM
주문 코드2825193RL
Product RangeQFET
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds400V
Continuous Drain Current Id1.56A
Drain Source On State Resistance6.5ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation38W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeQFET
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.56A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
38W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
400V
Drain Source On State Resistance
6.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
QFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0004