페이지 인쇄
FQPF30N06L
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 22.5 A, 0.035 ohm, TO-220F, Through Hole
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FQPF30N06L
주문 코드3003937
Product RangeQFET
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id22.5A
Drain Source On State Resistance0.035ohm
Transistor Case StyleTO-220F
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation38W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeQFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
FQPF30N06L의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
제품 개요
메모
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
22.5A
Transistor Case Style
TO-220F
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
38W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.035ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
QFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0005