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MJ11016G
Darlington Transistor, Darlington, NPN, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 Pins
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MJ11016G
주문 코드9556583
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo120V
Power Dissipation Pd200W
DC Collector Current30A
RF Transistor CaseTO-3
No. of Pins2Pins
DC Current Gain hFE200hFE
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
제품 개요
The MJ11016G is a 120V Silicon NPN Bipolar Darlington Power Transistor designed for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. The transistor has monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor.
- High DC current gain
- Collector-base voltage (Vcbo = 120V)
- Emitter-base voltage (Vcbo = 5V)
애플리케이션
Industrial
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Power Dissipation Pd
200W
RF Transistor Case
TO-3
DC Current Gain hFE
200hFE
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
120V
DC Collector Current
30A
No. of Pins
2Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.011793