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MJD117T4G
Darlington Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pins
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MJD117T4G
주문 코드2845303RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max100V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Continuous Collector Current2A
Power Dissipation Pd20W
DC Collector Current2A
Power Dissipation1.75W
RF Transistor CaseTO-252 (DPAK)
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
No. of Pins4Pins
DC Current Gain hFE200hFE
Transistor MountingSurface Mount
Transition Frequency25MHz
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min200hFE
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (27-Jun-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
Power Dissipation Pd
20W
Power Dissipation
1.75W
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
DC Current Gain hFE
200hFE
Transition Frequency
25MHz
DC Current Gain hFE Min
200hFE
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage Max
100V
Continuous Collector Current
2A
DC Collector Current
2A
RF Transistor Case
TO-252 (DPAK)
No. of Pins
4Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
MJD117T4G의 대체 제품
2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000426