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MJD6039T4G
Darlington Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 20 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Pins
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MJD6039T4G
주문 코드2774792RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max80V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo80V
Power Dissipation Pd20W
Continuous Collector Current4A
DC Collector Current4A
Power Dissipation20W
RF Transistor CaseTO-252 (DPAK)
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE2500hFE
Transition Frequency-
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min1000hFE
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (27-Jun-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
80V
Continuous Collector Current
4A
Power Dissipation
20W
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
DC Current Gain hFE
2500hFE
Transistor Mounting
Surface Mount
DC Current Gain hFE Min
1000hFE
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage Max
80V
Power Dissipation Pd
20W
DC Collector Current
4A
RF Transistor Case
TO-252 (DPAK)
No. of Pins
3Pins
Transition Frequency
-
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000426